? ? 浙江大學發(fā)表于光學技術期刊第 3 4 卷 增 刊 2 0 0 8年1 2月 文章編號 : 100221582 (2008) S20196202 中明確提到氦氖激光器作為一種傳統(tǒng)的光源,易受外界震動以及溫度和濕度的變化對其輸出光功率影響較大 ,如果一段時間不使用 ,常常會發(fā)生不能正常發(fā)光的情況 ,壽命相對較短 ,外形尺寸龐大 ,需要高壓激勵 ,電磁干擾嚴重, 而半導體激光器具有體積小 ,重量輕、效率高、壽命長、使用方便等一系列優(yōu)點 ,是取代 He-Ne 激光器的理想光源。半導體激光器通過使用恒流源驅(qū)動配合PID溫控自動調(diào)節(jié)系統(tǒng)，加上獨特的光路設計系統(tǒng)和自校準功能可使紅外結(jié)石分析儀設備達到比使用He-Ne激光器設備更優(yōu)異的技術參數(shù)要求，目前主流紅外設備廠家（如美國賽默飛世爾科技的Nicolet iS 5 FT-IR 光譜儀和德國布魯克布魯克INVENIO傅立葉變換紅外光譜儀使用的都是半導體激光器），半導體激光器代表著儀器未來發(fā)展的主流方向。

調(diào)制性能及功率控制

半導體激光器可以進行高速的數(shù)字及模擬調(diào)制。其數(shù)字調(diào)制（TTL 調(diào)制）可達 350MHz，上升沿下降延時間均小于 1 個納秒，過沖小于 10％。模擬調(diào)制也可達 5MHz。而且半導體激光的輸出功率可以通過對輸入電流的控制或模擬調(diào)制信號方便地進行控制。而氦氖激光器一般無法提供調(diào)制功能功率也無法進行調(diào)節(jié)。